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TC835CPI	文件：206.92 Kbytes Page：12 Pages	PERSONALCOMPUTERDATAACQUISITIONA/DCONVERTER	TELCOM TelCom Semiconductor, Inc	TELCOM
TS835	文件：164.65 Kbytes Page：5 Pages	TS135thurTS1235THYRISTORS TS135thurTS1235THYRISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD835	文件：203.31 Kbytes Page：6 Pages	ASYMMETRICALTHYRISTORTHYRISTORASYMETRIQUE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-835	文件：37.18 Kbytes Page：2 Pages	SUPPORTPRODUCTSFORMICROLINEARI.C.S	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
TSR835	文件：135.32 Kbytes Page：5 Pages	8ASchottkyRectifier	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
UPA835	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TC	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：72.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA835TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangeandexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.Th	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：208.74 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC835	文件：289.7 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Inputoffsetvoltage±3mVMAX. •Slewrate5.5V/μsTYP. •Unitygainfrequency2.8MHzTYP. •LowpowerICC≤2.2mAMAX. (Reducescircuitcurrentswhilemaintainingrelativelyhighslewrateandbandwidth) •Highstabilityissecuredtocapacitiveloads (4000pF,AV=+1) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
SIPS835(3)
功能描述：
_

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SI-PS-D09L	BEYOND	23+	DIP8	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市一线半导体有限公司	SIPT640	HUT	24+	SC107	1000		询价
深圳市科雨电子有限公司	SIPYRCZ1&RCZ3	PYCOM	20+	射频元件	155	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	SiPyRCZ1&RCZ3	Pycom	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司	SIQ001	VISHAY	24+	QFN8	2685	原装优势!自家现货供应!欢迎来电!	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	SIQ001	VISHAY/威世	23+	QFN	15000	百分百进口原装环保整盘	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SIQ001DN	SI	23+	QFN1212-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SIQ001DN	SI	23+	QFN1212-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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