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SPN02N60C3	文件：2.08608 Mbytes Page：11 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeUltraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	COOLMOSPOWERTRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：282.69 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS02N60C3	文件：1.19171 Mbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistorFeaturenewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS02N60C3	文件：526.14 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS02N60C3	文件：1.08523 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPU02N60C3	文件：1.08408 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPU02N60C3	文件：247.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SIPC02N60C3
功能描述：
MOSFET COOLM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SIPC02N60C3供应商更新时间2025-7-14 16:51:00

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