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SIHP17N60D	文件：176.5 Kbytes Page：9 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry 文件：176.5 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHP17N60D	文件：178.97 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-of-Merit ( 文件：178.97 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHP17N60D	文件：329.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.34Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：329.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHP17N60D_V01	文件：178.97 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-of-Merit ( 文件：178.97 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHP17N60D-E3	文件：176.5 Kbytes Page：9 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry 文件：176.5 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiHP17N60D-GE3	文件：176.5 Kbytes Page：9 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry 文件：176.5 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiHP17N60D	文件：300 bytes Page：1 Pages	D Series Power MOSFET ·Optimal Design\n·Low Area Specific On-Resistance\n·Low Input Capacitance (Ciss);	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SIHP17N60D
功能描述：
MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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