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SiHP17N60D-GE3 | D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry 文件：176.5 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
TQFP100 | SILICONI | SILICONI | ||
TQFP100 | SILICON | SILICON | ||
LQFP-100 | Lattice | |||
QFP | SILICON 上传：深圳市远兴达电子有限公司 | SILICON |
详细参数
- 型号：
SIHP17N60D-GE3
- 功能描述：
MOSFET 600V 17A 277.8W 340mOhm @10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
25+ |
TO-220 |
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23+ |
TO-220 |
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更新时间2025-12-15 14:15:00
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