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SIHP15N60E

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance    please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

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SIHP15N60E

E Series Power MOSFET

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SIHP15N60E

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

SIHP15N60E_V01

E Series Power MOSFET

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SIHP15N60E-BE3

E Series Power MOSFET

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SIHP15N60E-GE3

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SiHP15N60E

E Series Power MOSFET

·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\n·Low input capacitance (Ciss)\n·Reduced switching and conduction losses;

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIHP15N60E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHP15N60E供应商 更新时间2026-2-2 9:31:00