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SiHP15N60E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHP15N60E
- 功能描述：
MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
5250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
T0220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Vishay |
* |
12 |
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VISHAY/威世 |
1948+ |
TO-220 |
6852 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
T0220 |
1374 |
询价 | |||
vishay |
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NA |
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VISHAY |
13+ |
TO-220 |
1900 |
只做原装正品 |
询价 | ||
Vishay |
25+ |
TO-TO-220AB |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 | ||
VISHAY |
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T0220 |
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