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SiHG47N65E中文资料E Series Power MOSFET数据手册Vishay规格书
SiHG47N65E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHG47N65E
- 功能描述：
MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
700 V
- 闸/源击穿电压：
20 V
- 漏极连续电流：
47 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.072 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
TO-247AC-3
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
56000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
TO247 |
1980 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-247 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO247 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247TO-3P |
7000 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
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只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON |
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TO247 |
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Vishay |
NA |
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INFINEON |
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