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SiHG22N65E中文资料E Series Power MOSFET数据手册Vishay规格书
SiHG22N65E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHG22N65E
- 功能描述：
MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 漏极连续电流：
22 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.18 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
TO-247AC
- 封装：
Bulk
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