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SIHG22N65E	文件：217.35 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datas 文件：217.35 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG22N65E	文件：444.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：444.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHG22N65E	文件：194.29 Kbytes Page：8 Pages	E Series Power MOSFET 文件：194.29 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG22N65E_V01	文件：217.35 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datas 文件：217.35 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHG22N65E	文件：300 bytes Page：1 Pages	E Series Power MOSFET ·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\n·Low input capacitance (Ciss)\n·Reduced switching and conduction losses;	Vishay 威世	Vishay

更多SIHG22N65E供应商更新时间2026-1-31 10:05:00