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SIHG47N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG47N65E

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:445.1 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SIHG47N65E

E Series Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG47N65E_V01

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SiHG47N65E

E Series Power MOSFET

·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\n·Low input capacitance (Ciss)\n·Reduced switching and conduction losses;

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIHG47N65E

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    700 V

  • 闸/源击穿电压:

    20 V

  • 漏极连续电流:

    47 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.072 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    TO-247AC-3

  • 封装:

    Bulk

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更多SIHG47N65E供应商 更新时间2026-2-1 14:02:00