SiHG460B中文资料D Series Power MOSFET数据手册Vishay规格书
SiHG460B规格书详情
特性 Features
Optimal Design
Low Area Specific On-Resistance
Low Input Capacitance (Ciss)
技术参数
- 型号：
SIHG460B
- 功能描述：
MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
7000 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO247 |
990000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
18+ |
TO-247 |
500 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
Vishay |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-247AC-3 |
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Vishay |
24+ |
NA |
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VISHAY |
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