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PCFC47N60FW	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHG47N60AE	文件：145.01 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG47N60AE	文件：445.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG47N60AEF	文件：192.65 Kbytes Page：11 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG47N60AEF	文件：218.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG47N60E	文件：445.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG47N60E	文件：356.1 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=47A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=64mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG47N60E	文件：185.76 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHW47N60E	文件：325.5 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHW47N60E	文件：445.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHW47N60E	文件：243.09 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Swi	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHW47N60EF	文件：446.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHW47N60EF	文件：331.87 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •IncreasedrobustnessduetolowQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordef	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHW47N60EF	文件：172.89 Kbytes Page：7 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SPW47N60CFD	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRITION •HighPeakCurrentCapability FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤83mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW47N60CFD	文件：382.75 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPW47N60CFD	文件：622.42 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SW47N60K	文件：847.38 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-247MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

详细参数

型号：
SIHG47N60EF
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFETS - Tape and Reel
制造商：
Vishay Siliconix
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
N-CHANNEL 600V

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