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SIHFR010	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low drive current • Surface-mount • Fast switching • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin 文件：325.95 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR010	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR010	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR010	文件：4.60859 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：4.60859 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
SIHFR010	文件：309.31 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：309.31 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR010	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low drive current\nSurface-mount\nFast switching;	Vishay 威世	Vishay
SIHFR010-E3	文件：4.60859 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：4.60859 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
SIHFR010-E3	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR010_V01	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：325.95 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR010-GE3	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：325.95 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
SIHFR010
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SIHFR010	VIS	23+	DPAK	35292	原装正品,假一罚十	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	SIHFR010	VBsemi/台湾微碧	25+	DPAK	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SIHFR010	VISHAY	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SIHFR010	VISHAY/威世	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SIHFR010	VB	25+	DPAK	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SiHFR010	VISHAY/威世	2022+	TO-252	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市诺美思科技有限公司	SIHFR010	VISHAY		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SIHFR010	VISHAY	22+	TO252	20000	公司只做原装品质保证	询价
深圳市博中泰实业有限公司	SIHFR010	VISHAY/威世	25+	TO252	90000	全新原装现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	SiHFR010-E3	VISHAY/威世	25+	TO-252	22238	原装正品现货库存假一赔十欢迎询价	询价

更多SIHFR010供应商更新时间2026-4-18 15:36:00

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