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K15N60	文件：377.15 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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KGT15N60FDA	文件：1.62656 Mbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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MDF15N60GTH	文件：322.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP15N60G	文件：1.2533 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MDP15N60GTH	文件：331.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP15N60GTH	文件：1.2533 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,15A,0.40(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MGP15N60U	文件：120.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovideslowon–voltagewhichresultsinefficientoperationat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MS15N60	文件：395.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
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NGTB15N60EG	文件：139.04 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-Short-CircuitRated	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
SIHFP15N60L
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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