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SIHFP31N50L	文件：445.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.18Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：445.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHFP31N50L	文件：158.19 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：158.19 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHFP31N50L	文件：201.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：201.3 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFP31N50L	文件：223.86 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：223.86 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFP31N50L-E3	文件：223.86 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：223.86 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFP31N50L-E3	文件：158.19 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：158.19 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFP31N50L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

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