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SIHB16N50C	文件：271.29 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit Ron x Qg • 100 avalanche tested • Gate charge improved • trr/Qrr improved • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoHS-compliant and / or pa 文件：271.29 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHB16N50C	文件：322.22 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：322.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SIHB16N50C-E3	文件：155.39 Kbytes Page：8 Pages	Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：155.39 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHB16N50C-E3	文件：271.29 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：271.29 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHB16N50CTL-E3	文件：271.29 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：271.29 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHB16N50CTR-E3	文件：271.29 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：271.29 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIHB16N50CTR-E3	文件：1.03815 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03815 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SIHB16N50C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low figure-of-merit Ron x Qg\n100 % avalanche tested\nGate charge improved;	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SIHB16N50C
功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SIHB16N50C供应商更新时间2025-12-23 18:08:00

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