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SIE800DF-T1-E3	文件：169.98 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Low Switching Losses • TrenchFET®Power MOSFET • Ultra Low Thermal Resistance Using Top Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided Cooling • Leadframe-Based New Encapsulated Package - Die Not Ex 文件：169.98 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SIE800DF-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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