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SIE812DF-T1-E3

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:192.12 Kbytes 页数:10 Pages

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威世科技

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威世科技

上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

详细参数

  • 型号:

    SIE812DF-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIE812DF-T1-E3供应商 更新时间2025-10-4 13:31:00