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SIE836DF-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY 10-PAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体相关企业：深圳市科雨电子有限公司	Vishay
SIE836DF-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY 10-PAK	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团相关企业：深圳市科雨电子有限公司	TFUNK
SIE836DF-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY 10-PAK	BARRY Vishay Barry 相关企业：深圳市科雨电子有限公司	BARRY
SIE836DF-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(SH)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体相关企业：深圳市鹏顺微电子科技有限公司	Vishay
SIE836DF-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(SH)	NI National Instruments Inc. 相关企业：深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NI

详细参数

型号：
SIE836DF-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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