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SIF912EDZ-T1-E3

Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:65.57 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG16N50C-E3

TO-247

VISHY

SIHG22N60E-GE3

TO-247

VISHAY/威世

SIHP068N60EF-GE3

TO-22

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

SII1161CTU

TQFP100

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SIF912EDZ-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SIF912EDZ-T1-E3供应商 更新时间2025-12-14 13:57:00