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SIE800DF-T1-E3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• Extremely Low Qgd for Low Switching Losses
• TrenchFET®Power MOSFET
• Ultra Low Thermal Resistance Using Top Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided Cooling
• Leadframe-Based New Encapsulated Package
- Die Not Exposed
- Same Layout Regardless of Die Size
• Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through
• 100 Rg and UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
•VRM
• DC/DC Conversion: High-Side
• Synchronous Rectification
产品属性
- 型号：
SIE800DF-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
1576 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN |
9000 |
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询价 | ||
VISHAY |
1802+ |
QFN |
6528 |
只做原装正品现货,或订货假一赔十! |
询价 | ||
VISHAY |
0603+ |
QFN |
3000 |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
QFN |
2860 |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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VISHAY |
24+ |
QFN |
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原装优势!绝对公司现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
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询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
QFN |
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询价 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
