SiDR608EP中文资料N-Channel 45 V (D-S) 175 °C MOSFET数据手册Vishay规格书
SiDR608EP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 45 V Drain-source break-down voltage
• Tuned for low Qg and Qoss
技术参数
- 制造商编号
：SIDR608EP
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK SO-8DC
- Ch
：N
- VDS (V)
：45
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.0018
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0012
- Qg @4.5V (nC)
：50.5
- Qg @10V (nC)
：111
- Qgs (nC)
：26
- Qgd (nC)
：7.8
- ID Max. (A)
：228
- PD Max. (W)
：125
- VGS(th) Min. (V)
：1.1
- Rg Typ. (Ω)
：0.88
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
73000 |
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询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
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Vishay(威世) |
2511 |
PowerPAK? SO-8 |
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VISHAY/威世 |
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PowerPAKSO-8 |
50000 |
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VISHAY/威世 |
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KSO-8DC |
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Vishay / Siliconix |
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VISHAY/威世 |
23+ |
CutTape |
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Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC E |
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VISHAY/威世 |
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CutTape |
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