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SiDR5102EP数据手册Vishay中文资料规格书
SiDR5102EP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
:SIDR5102EP
- 生产厂家
:Vishay
- Package
:PowerPAK SO-8DC
- Ch
:N
- VDS (V)
:100
- VGS (V)
:20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
:0.0056
- RDS(on)@10V (Ω)
:0.0041
- Qg @10V (nC)
:33.7
- Qgs (nC)
:15.7
- Qgd (nC)
:1.7
- ID Max. (A)
:126
- PD Max. (W)
:150
- VGS(th) Min. (V)
:2
- Rg Typ. (Ω)
:1.15
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
PowerPAK? SO-8 |
38550 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
CutTape |
100500 |
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SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
6050 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
2511 |
PowerPAK? SO-8 |
36000 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Vishay / Siliconix |
2025+ |
SOIC-8 |
56303 |
询价 | |||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SIDR5802EP-T1-RE3 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAKSO-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |