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SiDR5102EP数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

SiDR5102EP

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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SiDR5102EP规格书详情

特性 Features

• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM



技术参数

  • 制造商编号

    :SIDR5102EP

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Package

    :PowerPAK SO-8DC

  • Ch

    :N

  • VDS (V)

    :100

  • VGS (V)

    :20

  • RDS(on)@7.5V (Ω)

    :0.0056

  • RDS(on)@10V (Ω)

    :0.0041

  • Qg @10V (nC)

    :33.7

  • Qgs (nC)

    :15.7

  • Qgd (nC)

    :1.7

  • ID Max. (A)

    :126

  • PD Max. (W)

    :150

  • VGS(th) Min. (V)

    :2

  • Rg Typ. (Ω)

    :1.15

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