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SIDC81D60E6数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

SIDC81D60E6

参数属性

SIDC81D60E6 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

功能描述

Chip Diode
DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

封装外壳

模具

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:00:00

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SIDC81D60E6规格书详情

描述 Description

Emitter Controlled-Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled-Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled-Diode is optimized for Infineon IGBT technology.

特性 Features

• Soft, fast switching
• Low reverse recovery charge
• Small temperature coefficient

优势:

应用 Application

•SMPS
•Industrial drives
• Resonant applications

简介

SIDC81D60E6属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SIDC81D60E6二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SIDC81D60E6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :not for new design

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Technology

    :Emitter Controlled Diode

  • VDS max

    :600 V

  • IF max

    :200 A

  • I(FSM) max

    :600 A

  • VF

    :1.25 V

  • IR max

    :250 µA

  • Irrm

    :247.7 A

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