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SIDC53D120H8数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
| 厂商型号 |
SIDC53D120H8 |
| 参数属性 | SIDC53D120H8 封装/外壳为模具；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER |
| 功能描述 | Chip Diode |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-10 15:01:00 |
| 人工找货 | SIDC53D120H8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SIDC53D120H8规格书详情
描述 Description
Emitter Controlled Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled Diode is optimized for Infineon IGBT technology.
特性 Features
• Soft, fast switching
• Low reverse recovery charge
• Small temperature coefficient
优势:
应用 Application
•Industrial drives
• Resonant application
简介
SIDC53D120H8属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SIDC53D120H8二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号：
SIDC53D120H8X1SA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
带盒（TB）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
100A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
带箔切割晶片
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
带箔切割晶片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
