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SIDC53D120H6中文资料Fast switching diode chip in EMCON-Technology数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
SIDC53D120H6 |
| 参数属性 | SIDC53D120H6 封装/外壳为模具；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER |
| 功能描述 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 10:09:00 |
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SIDC53D120H6规格书详情
简介
SIDC53D120H6属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SIDC53D120H6二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号：
SIDC53D120H6X1SA3
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
100A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
带箔切割晶片
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
