SiDR500EP中文资料N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET数据手册Vishay规格书
SiDR500EP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
技术参数
- 制造商编号
：SIDR500EP
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK SO-8DC
- Ch
：N
- VDS (V)
：30
- VGS (V)
：16
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.00068
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.00047
- Qg @4.5V (nC)
：54.3
- Qg @10V (nC)
：120
- Qgs (nC)
：25.6
- Qgd (nC)
：8.7
- ID Max. (A)
：421
- PD Max. (W)
：150
- VGS(th) Min. (V)
：1
- Rg Typ. (Ω)
：0.9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2447 |
CutTape |
100500 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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Vishay(威世) |
2511 |
PowerPAK? SO-8 |
36000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
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国产 |
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VISHAY/威世 |
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PowerPAKSO-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
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KSO-8DC |
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Vishay Siliconix |
2025+ |
PowerPAK SO-8DC |
56303 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
CutTape |
9000 |
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询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SIDR5802EP-T1-RE3 |
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