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SiDR5802EP中文资料N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET数据手册Vishay规格书
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特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
：SIDR5802EP
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK SO-8DC
- Ch
：N
- VDS (V)
：80
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.004
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0029
- Qg @10V (nC)
：37.3
- Qgs (nC)
：16.5
- Qgd (nC)
：3.2
- ID Max. (A)
：153
- PD Max. (W)
：150
- VGS(th) Min. (V)
：2
- Rg Typ. (Ω)
：1.1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
6050 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
CutTape |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
PowerPAK? SO-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
2511 |
PowerPAK? SO-8 |
36000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Vishay / Siliconix |
2025+ |
SOIC-8 |
56303 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SIDR5802EP-T1-RE3 |
询价 | ||
Vishay/威世 |
24+ |
540000 |
原厂原装 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAKSO-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |
