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SI7980DP-T1-E3	文件：538.71 Kbytes Page：18 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件：538.71 Kbytes 页数：18 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SI7980DP-T1-E3
功能描述：
MOSFET 20V 8.0A 19.8/21.9W 22/15mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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