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详细参数
- 型号:
SI7964DP-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 60V(D-S)
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
DFN5x6 |
20300 |
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Vishay/Siliconix |
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VISHAY |
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QFN8 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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QFN8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
QFN8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
QFN8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
QFN-8 |
3000 |
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Vishay Siliconix |
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VISHAY/威世 |
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POWERPAK |
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更新时间2026-1-31 17:25:00
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