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SI7686DP-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN8	VishayVishay Siliconix 威世科技相关企业：深圳市恒意法电子有限公司
SI7686DP-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY 原装	VishayVishay Siliconix 威世科技相关企业：天津市博通航睿技术有限公司
SI7686DP-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN8	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团相关企业：深圳市恒意法电子有限公司
SI7686DP-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN8	BARRY Vishay Barry 相关企业：深圳市恒意法电子有限公司
SI7686DP-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8	VishayVishay Siliconix 威世科技相关企业：中天科工半导体（深圳）有限公司

详细参数

型号：
SI7686DP-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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