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SI7606DN-T1-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN8	BARRY Vishay Barry 相关企业：深圳市莱克讯科技有限公司	BARRY

详细参数

型号：
SI7606DN-T1-E3
功能描述：
MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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