选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
VISHAY/威世POWERPAK1212-8 |
35000 |
23+ |
|
热卖原装现货 |
||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世POWERPAK1212-8 |
1225 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世QFN-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世POWERPAK1212-8 |
8003 |
0940+ |
只做原装正品 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世QFN-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
VISHAYPOWERPAK1 |
13226 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
|
VISHAYPowerPAK 1212-8 |
1225 |
全新原装 支持BOM配单 |
||||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
2060 |
21+ |
原装假一罚十!特价支持实单!一片起卖! |
|||
|
深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世POWERPA |
8215 |
23+ |
原厂原装 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYQFN8 |
2972 |
21+ |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
|||
|
深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
|
VISHAY/威世POWERPAK1212-8 |
1225 |
2023+ |
|
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世PAK1212-8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
|||
|
深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
9890 |
2122+ |
全新原装进口,优势渠道,价格美丽,可出样品来电咨询 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世SMD-8.贴片 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世QFN-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
VISHAYQFN-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
VISHAY/威世POWERPAK1212-8 |
69052 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
2000 |
2020+ |
原装现货,优势渠道订货假一赔十 |
SI7726DN-T1-GE3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7726DN-T1-GE3图片
SI7726DN-T1-GE3价格
SI7726DN-T1-GE3价格:¥2.3430品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7726DN-T1-GE3多少钱,想知道SI7726DN-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.3430。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7726DN-T1-GE3批发价格及采购报价,SI7726DN-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI7726DN-T1-GE3报价。
SI7726DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7726DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 35A 52W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube