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SI7617DN-T1-GE3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:581.97 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SI7617DN-T1-GE3

VISHAY/威世
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VISHAY/威世

SI7716ADN-T1-GE3

VISHAY
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VishayVishay Siliconix

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上传:深圳市赛尔通科技有限公司

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上传:齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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威世

上传:深圳市瑞盛伟业电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI7617DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 35A 52W 12.3mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7617DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-12 9:28:00