| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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VISHAYQFN-8 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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12年
留言
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VISHAYQFN |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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15年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK-SO-8 |
67798 |
26+ |
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Vishay(威世)_SI7489DP-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有订 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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VISHAY/威世QFN |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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15年
留言
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VISHAYN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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7年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK-SO-8 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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13年
留言
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原装VISHAQFN8 |
6250 |
26+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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12年
留言
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Vishay原装优势现货 |
21000 |
25+ |
原装优势现货 |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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15年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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6年
留言
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Vishay(威世)封装 |
500000 |
25+ |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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3年
留言
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VISHAYQFN |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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3年
留言
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Vishay(威世) |
36000 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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10年
留言
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VISHAYQFN |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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13年
留言
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VISHAYQFN8 |
5000 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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5年
留言
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VISHAY/威世DFN56 |
50000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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13年
留言
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VISHAYSOP8 |
5800 |
26+ |
原装现货,可开13%税票 |
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13年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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SI7489DP图片
SI7489DP-T1-GE3价格
SI7489DP-T1-GE3价格:¥6.0031品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7489DP-T1-GE3多少钱,想知道SI7489DP-T1-GE3价格是多少?参考价:¥6.0031。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7489DP-T1-GE3批发价格及采购报价,SI7489DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI7489DP-T1-GE3报价。
SI7489DP资讯
SI7489DP-T1-GE3 P沟道场效应开关管-原装进口正品-宗天技术
SI7489DP-T1-GE3
SI7489DP-T1-GE3 深圳市力拓辉电子有限公司
SI7489DP-T1-GE3 产品种类: MOSFET 制造商: Vishay RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 100 V Id-连续漏极电流: 7.8 A Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Si7489DP-T1-E3 现货库存,价格优势,军工 ,集成电路
Si7489DP-T1-E3 现货库存,价格优势,军工 ,集成电路
SI7489DP中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7489DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7489DP_13制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7489DP-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 28A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7489DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






























