SI7489DP-T1-GE3
产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 100 V
Id-连续漏极电流: 7.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 100 ns
高度: 1.04 mm
长度: 4.9 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 5.2 W
上升时间: 20 ns, 160 ns
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 110 ns, 100 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 42 ns
宽度: 5.89 mm
零件号别名: SI7489DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
