FDMS86163P
产品参数：
产品种类: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Power56-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 100 V
Id-连续漏极电流: - 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 6.9 ns
正向跨导 - 最小值: 29 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 104 W
上升时间: 8.8 ns
系列: PowerTrench
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 68.100 mg
