Si7489DP-T1-E3 现货库存，价格优势，军工 ，集成电路

SI7489DP-T1-E3

功能描述：

MOSFET 100V 28A 83W

RoHS：

否

制造商：

STMicroelectronics

晶体管极性：

N-Channel

汲极/源极击穿电压：

650 V

闸/源击穿电压：

25 V

漏极连续电流：

130 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：

0.014 Ohms

配置：

Single

最大工作温度：

安装风格：

Through Hole

封装 / 箱体：

Max247

封装：

Tube