选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装标准 |
32543 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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原装VISHAQFN8 |
6250 |
22+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN-8 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世QFN |
15000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYPPAKSO-8 |
9000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK SO-8 |
58848 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYPowerPAK SO-8 Single |
6000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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vishayQFN8 |
220000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
21000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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VISHAY威世半导体SO-8 |
24513 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYQFN-8 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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SIX |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? SO-8 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? SO-8 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装标准 |
37742 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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VISHAY/威世通na |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAKSO8 |
6000 |
23+ |
SI7489DP-T1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7489DP-T1图片
SI7489DP-T1-GE3价格
SI7489DP-T1-GE3价格:¥6.0031品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7489DP-T1-GE3多少钱,想知道SI7489DP-T1-GE3价格是多少?参考价:¥6.0031。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7489DP-T1-GE3批发价格及采购报价,SI7489DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI7489DP-T1-GE3报价。
SI7489DP-T1-E3资讯
SI7489DP-T1-GE3 P沟道场效应开关管-原装进口正品-宗天技术
SI7489DP-T1-GE3
SI7489DP-T1-GE3 深圳市力拓辉电子有限公司
SI7489DP-T1-GE3产品种类:MOSFET制造商:VishayRoHS:符合RoHS详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOIC-8通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:-100VId-连续漏极电流:7.8ARdsOn-漏源导通电阻:41mOhmsVgs-栅极-源极电压:20V
Si7489DP-T1-E3 现货库存,价格优势,军工 ,集成电路
Si7489DP-T1-E3现货库存,价格优势,军工,集成电路
SI7489DP-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7489DP-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 28A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7489DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube