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SI5905DC-T1中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI5905DC-T1
- 功能描述：
MOSFET 8V 4.1A 2.1W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
MLP-8 |
2987 |
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询价 | ||
VISHAY |
SOT23-8 |
68500 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
MSOP8 |
30000 |
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VISHAY/威世 |
2450+ |
SOT23-8 |
8850 |
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SOT23-8 |
23+ |
NA |
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VISHAY |
2021+ |
60000 |
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VIHSAY/SILICONIX |
24+ |
SOT-183 |
57200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
VISHAY |
2024+ |
1206-8 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
VISHAY |
1716+ |
? |
6800 |
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询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
1206-8 ChipFET? |
38550 |
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