选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世12068 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY/威世NA/ |
6000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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VISHAY原装SOT23 |
30000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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SOT23-8NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VISHAY-威世SOT-23-8 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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VISHAY/威世MSOP8 |
77670 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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VIHSAY/SILICONIXSOT-183 |
57200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
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VISHAY1206-8 |
12000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
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VISHAY原装SOT23 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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原装VISHAYSOT23-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
18560 |
22+ |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
6000 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
30000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY |
60000 |
2021+ |
原装现货,欢迎询价 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
30000 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
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VISHAY/威世8P |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
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VISHAY1206-8P |
12000 |
1408+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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SI5905DC-T1图片
SI5905DC-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5905DC-T1功能描述:MOSFET 8V 4.1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5905DC-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 4.1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5905DC-T1-GE3功能描述:MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR