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SI5904DC-T1-GE3中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI5904DC-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 1206-8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
TrenchFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
25745 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2450+ |
1206-8 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
VISHAY |
11+ |
1206-8 |
25829 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY (SILICONIX) |
25+ |
164 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
2223+ |
SOT-153 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
VISHAY |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
5000 |
有部份现货 |
询价 | |||
VIS |
23+ |
ECH8 |
27000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
12068 ChipFET? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
