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SI5902DC-T1中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI5902DC-T1
- 功能描述：
MOSFET 30V 3.9A 2.1W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICON |
2020+ |
1206-8 |
80000 |
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VISHAY |
20+ |
na |
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SILICONIX |
22+ |
SOT23-8 |
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SILICONIX |
2339+ |
SOT |
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询价 | ||
SILICON LABS/芯科 |
2022 |
1206-8 |
80000 |
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询价 | ||
SI5902DC-T1 |
2366 |
2366 |
询价 | ||||
VISHAY |
23+ |
1206-8 |
6680 |
全新原装优势 |
询价 | ||
SILICONIX |
1206-8P |
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询价 | |||
SILICONIX |
2016+ |
1206-8P |
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询价 | ||
SI |
2024+ |
TSSOP8 |
50000 |
原装现货 |
询价 |
