| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世12068 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)ChipFET1206-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世12068 |
7906200 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世1206-8 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix8-SMD,扁平引线 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VBSEMIECH8 |
28627 |
19+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY1206-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50 |
16+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAY(威世)SMD8P |
6000 |
23+ |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISECH8 |
27000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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VishayVishayMOSFETs |
100000 |
NEW- |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAY1206-8 |
6528 |
2016+ |
只做原装正品现货!或订货!假一赔十! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
5356 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)ChipFET12068 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世1206-8CHIPFET |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世1206-8 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VBsemi/台湾微碧ECH8 |
97003 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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SI5902BDC图片
SI5902BDC-T1-GE3价格
SI5902BDC-T1-GE3价格：￥3.2533品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI5902BDC-T1-GE3多少钱，想知道SI5902BDC-T1-GE3价格是多少？参考价：￥3.2533。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI5902BDC-T1-GE3批发价格及采购报价，SI5902BDC-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI5902BDC-T1-GE3报价。
SI5902BDC-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5902BDC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI5902BDC_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SI5902BDC-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.0A 3.12W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5902BDC-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.0A 3.12W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
