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SI5902BDC-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI5902BDC-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 4.0A 3.12W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
18+ |
MLP-8 |
2950 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
6200 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VBsemi/台湾微碧 |
23+ |
ECH8 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
询价 | ||
SILICONIX |
2016+ |
1206-8P |
6523 |
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询价 | ||
SILICONIX |
23+ |
1206-8P |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SSOP8 |
7800 |
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询价 | ||
SI5902DC |
2366 |
2366 |
询价 | ||||
SILICONIX |
24+ |
SOT23-8 |
2987 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
ChipFET1206-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
VBSEMI |
19+ |
ECH8 |
28627 |
询价 |