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SI5903DC-T1中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI5903DC-T1
- 功能描述:
MOSFET 20V 2.9A 2.1W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
24250 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
MLP-8 |
54648 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
NA |
880000 |
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询价 | ||
SI5903DC-T1 |
25+ |
2226 |
2226 |
询价 | |||
24+ |
3000 |
自己现货 |
询价 | ||||
Vishay Siliconix |
2022+ |
1206-8 ChipFET? |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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VISHAY/威世 |
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MLP-8 |
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VISHAY/威世 |
05+ |
1206-8 |
3000 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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VISHAY |
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MLP-8 |
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