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详细参数

型号：
SI5482DU-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 12A 31W 15mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SI5482DU-T1-GE3	VIS			3000		询价
深圳市科雨电子有限公司	SI5482DU-T1-GE3	VISHAY	1503+	DFN	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	SI5484DUT1E3	Vishay Siliconix	22+	PowerPAK? ChipFET? Single	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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京海半导体(深圳)有限公司	SI5484DU-T1-GE3	VISHAY/威世	21+	1206-8	10000	原装现货假一罚十	询价

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