| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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TI/德州仪器SOT23-5 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世1206-8CHIPFET |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
50000 |
22+ |
只做正品原装,假一罚十,欢迎咨询 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
9250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY1206-8 |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAY1206-8 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世1206-8ChipFET |
45000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
6000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay Siliconix12068 ChipFET? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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Vishay/Siliconix1206-8ChipFet |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY1206-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Vishay Siliconix8-SMD,扁平引线 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市正川电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
3000 |
11+PB |
现货-ROHO |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世1206-8CHIPFET |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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SI5511DC图片
SI5511DC-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5511DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI5511DC-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.0/3.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5511DC-T1-GE3功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
