| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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SILICON/芯科5 x 7 mm 6-pad |
15000 |
22+ |
SILICON/芯科全系列在售,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世12068 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)ChipFET1206-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
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3000 |
2019 |
原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOP23-8 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAY/威世8-SMD |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
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原厂原包原装 |
38560 |
2022+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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SILICONIXSOP |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)1206-ChipFET-8 |
58414 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
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VISHAYTSSOP |
3783 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix8-SMD,扁平引线 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY1206-8 |
12000 |
23+ |
全新原装,优势现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY/威世NA/ |
628 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)ChipFET12068 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-8 |
38075 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOT26/8 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY1206-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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SILICONIXSOP |
96880 |
23+ |
只做原装,欢迎来电资询 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
19567 |
23+ |
SI550采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI550图片
SI5504DC价格
SI5504DC价格：￥1.3000品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI5504DC多少钱，想知道SI5504DC价格是多少？参考价：￥1.3000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI5504DC批发价格及采购报价，SI5504DC销售排行榜及行情走势，SI5504DC报价。
SI5504DC-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI550制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:VOLTAGE-CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR(VCXO) 10 MHZ TO 1.4 GHZ
SI5504BDC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI5504BDC_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SI5504BDC-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.0/3.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5504BDC-T1-GE3功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5504DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 30-V(D-S) MOSFET
SI5504DC-T1功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5504DC-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5504DC-T1-GE3功能描述:MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5509DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
