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SI5517DU-T1-GE3

N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFETs •ThermallyenhancedPowerPAKChipFET package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance -Thin0.8mmprofile •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •ComplementaryMOSFET forporta

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI5517DU-T1-GE3

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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威世科技

详细参数

  • 型号:

    SI5517DU-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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